ALD原子层沉积设备

原子层沉积技术以精准控制薄层厚度，均匀性，保型性而著称，广泛应用于集成电路（IC）行业，它使得电子器件持续微型化成为可能，逐渐成为了微电子器件制造，半导体领域的必要技术。例如用于制备晶体管栅堆垛、刻蚀终止层。
紧凑型原子层沉积系统，系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜。（可沉积氧的化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等；氮化物：TiN,Si3N4等；）
应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。带有加热腔壁及屏蔽层，非常方便腔体的清洁。该系统拥有一个载气舱包含4个50ml的加热源，用于前驱体以及反应物，同时带有N2作为运载气体的快脉冲加热传输阀。

ALD原子层沉积设备特点

·不均匀性低于1%；
·阳极氧化铝腔体；
·小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量；
·可支持4英寸的基片；
·最多支持4路50cc/100cc前驱体源；
·高深宽比结构的保形生长。

技术参数